ОАО НПО "ФИЗИКА"

Компонентная база для авионики
Текущее время: 22 авг 2019, 15:38

Часовой пояс: UTC + 4 часа




Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 65 ]  На страницу Пред.  1, 2, 3, 4  След.
Автор Сообщение
СообщениеДобавлено: 25 сен 2014, 11:36 
Не в сети

Зарегистрирован: 22 сен 2014, 18:38
Сообщений: 5
Название предприятия: ОАО Корпорация ВНИИЭМ
Здравствуйте!
Согласно ТУ м/с 5559ИН13 максимальный ток потребления в режиме передачи 550мА. Согласно описанию м/с 5559ИН13 (стр.6) она в режиме передачи посылает на трансформатор ток до 500мА. Вопрос: я правильно понимаю, что собственно электронная начинка м/с в режиме передачи потребляет только 50мА (550-500=50мА) и ее тепловыделение P=5В*0,05мА=250мВт ?


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 26 сен 2014, 11:10 
Не в сети

Зарегистрирован: 20 фев 2014, 17:37
Сообщений: 31
Название предприятия: ОАО "НПО "Физика"
Сазонов Сергей писал(а):
Здравствуйте!
Согласно ТУ м/с 5559ИН13 максимальный ток потребления в режиме передачи 550мА. Согласно описанию м/с 5559ИН13 (стр.6) она в режиме передачи посылает на трансформатор ток до 500мА. Вопрос: я правильно понимаю, что собственно электронная начинка м/с в режиме передачи потребляет только 50мА (550-500=50мА) и ее тепловыделение P=5В*0,05мА=250мВт ?

Увы, всё неверно. Ток, отбираемый от источника питания зависит от нагрузки на трансформаторе, КПД самого трансформатора, формы и фронтов сигнала и т.д. и т.п. В режиме передачи через микросхему протекает весь ток уходящий в нагрузку. Замерив остаточное напряжение на выходах микросхемы, подключенных к трансформатору (Еп-Uт), в режиме передачи, можно ориентировочно оценить тепловыделение.


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 07 окт 2014, 17:40 
Не в сети

Зарегистрирован: 22 сен 2014, 18:38
Сообщений: 5
Название предприятия: ОАО Корпорация ВНИИЭМ
Здравствуйте!
Возвращаясь к вашему ответу от 26.09.14, касательно м/с 5559ИН13.
Вопрос состоит не в том какой протекает через м/с максимальный ток (это есть в ТУ) и от чего он зависит, а том, как сильно нагревает м/с этот максимальный ток. Т.е. вопрос переформулируется следующим образом: каково "остаточное напряжение на выходах микросхемы, подключенных к трансформатору (Еп-Uт), в режиме передачи" или каково сопротивление канала передающего ток от вывода питания до трансформатора ?
Этих параметров ни тех.описании, ни в ТУ нет. Но вы наверняка измеряли эти значения, иначе бы не изготавливали бы м/с в разных корпусах. Поделитесь, пожалуйста, это информацией.
С уважением,
Сазонов Сергей


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 08 окт 2014, 09:32 
Не в сети
Аватар пользователя

Зарегистрирован: 26 фев 2013, 10:27
Сообщений: 117
Название предприятия: ОАО НПО "Физика"
Сазонов Сергей писал(а):
Здравствуйте!
как сильно нагревает м/с этот максимальный ток
Сазонов Сергей

До вас уже все посчитали, внимательнее читайте ТУ.
Данная информация содержится в таблице 1 технических условий и называется "максимальная динамическая мощность потребления".

_________________
Существует 2 типа компаний: быстрые и мертвые. (с) Andrew Stephen Grove


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 08 окт 2014, 17:00 
Не в сети

Зарегистрирован: 22 сен 2014, 18:38
Сообщений: 5
Название предприятия: ОАО Корпорация ВНИИЭМ
Здравствуйте!
Прочитал внимательно.Действительно есть такой параметр в ТУ. Только возникли сомнения:
1) параметр называется "максимальная динамическая мощность потребления", т.е. мощность потребляемая от источника питания. А меня интересует мощность выделяемая на м/с, которая весьма специфична, т.к. большая часть потребляемого тока пролетает на выход и в принципе не должна нагревать м/с.
2) если м/с действительно выделяет тепла на 1,5Вт, то почему использовался маленький корпус 10х10 мм? и как следует из чертежа корпуса радиатор к нему не прицепишь
3)т.к. м/с рад.стойкая, то рассчитана (?) на эксплуатацию в космосе, где проблемы с отводом тепла.Опять-таки почему такой маленький корпус?

Может быть не все так просто?


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 09 окт 2014, 10:29 
Не в сети
Аватар пользователя

Зарегистрирован: 26 фев 2013, 10:27
Сообщений: 117
Название предприятия: ОАО НПО "Физика"
Сазонов Сергей писал(а):
Здравствуйте!
Прочитал внимательно.Действительно есть такой параметр в ТУ. Только возникли сомнения:
1) параметр называется "максимальная динамическая мощность потребления", т.е. мощность потребляемая от источника питания. А меня интересует мощность выделяемая на м/с, которая весьма специфична, т.к. большая часть потребляемого тока пролетает на выход и в принципе не должна нагревать м/с.
2) если м/с действительно выделяет тепла на 1,5Вт, то почему использовался маленький корпус 10х10 мм? и как следует из чертежа корпуса радиатор к нему не прицепишь
3)т.к. м/с рад.стойкая, то рассчитана (?) на эксплуатацию в космосе, где проблемы с отводом тепла.Опять-таки почему такой маленький корпус?

Может быть не все так просто?

1. Неправильно. Это мощность выделяемая на микросхеме. Про мощность "пролетает на выход" вам уже главный конструктор этой микросхемы объяснил, что это не так.

2. Потому что всех интересует минимизация. Данная микросхема выпускается во варианте 5559ИН13Т в большем корпусе, можете использовать ее.
В любом случае, все зависит от трафика, который вы прогоняете через микросхему. Она не сама по себе столько потребляет, потребление идет в результате создания импульса передачи.
Если этот параметр вам критичен, используйте 5559ИН11У с низким уровнем сигнала в линии, она выделяет меньше. Но сначала я бы удостоверился в том, что ваш трафик по МКИО приводит к такому нагреву микросхемы, которого вы опасаетесь.

3. Это вы с чего взяли? Космические применения наших микросхем не являются основными. Мы выпускаем микросхемы прежде всего для приборостроительных предприятий, занимающихся авионикой, и ракетчиков. Использование наших микросхем в космосе - на свой страх и риск, наше предприятие не выполняет ОКРов по заказу Роскосмоса и изучение микросхем на воздействие ТЗЧ или эффекта низкой интенсивности нами не проводилось.

_________________
Существует 2 типа компаний: быстрые и мертвые. (с) Andrew Stephen Grove


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 09 окт 2014, 19:12 
Не в сети

Зарегистрирован: 22 сен 2014, 18:38
Сообщений: 5
Название предприятия: ОАО Корпорация ВНИИЭМ
Спасибо за оперативный ответ, особенно по вопросу №3)
Тем не менее:
1) минимизация не поможет, если м/с в корпусе 10х10 мм выделяет 1,5Вт тепла, особенно если некуда крепить радиатор
2) у похожих микросхем (ф.AEROFLEX, HOLT integrated) есть "мощность рассеивания", что более корректно и не вызывает у потребителей дурацких вопросов))


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 10 окт 2014, 11:14 
Не в сети
Аватар пользователя

Зарегистрирован: 26 фев 2013, 10:27
Сообщений: 117
Название предприятия: ОАО НПО "Физика"
Сазонов Сергей писал(а):
Спасибо за оперативный ответ, особенно по вопросу №3)
Тем не менее:
1) минимизация не поможет, если м/с в корпусе 10х10 мм выделяет 1,5Вт тепла, особенно если некуда крепить радиатор
2) у похожих микросхем (ф.AEROFLEX, HOLT integrated) есть "мощность рассеивания", что более корректно и не вызывает у потребителей дурацких вопросов))


1. 1,5 Вт у вас будет в режиме передачи, вы постоянно передаете? Не принимаете вообще? В соответствии с ГОСТ Р 52070-2003 это невозможная ситуация.
Вы собираетесь использовать ОУ, МШ или КШ МКИО? Только в случае использования КШ вам стоит беспокоиться об этом вопросе, т.к. возможна ситуация, в которой КШ беспрерывно опрашивает ОУ или отдает КС на МШ. Если в системе 30 абонентов, то в грубом приближении 1 ОУ передает лишь 3% времени работы. В случае с МШ такой проблемы вообще нет.

По-поводу крепить радиатор некуда. Есть текстолитовые платы со встроенной медной пластиной для теплоотвода. В месте установки микросхемы, требующей охлаждения, в текстолите делается отверстие, на медь сажается радиатор, на радиатор сверху микросхема. Таким образом осуществляется отвод тепла.
Плюс к этому, осуществлять теплоотвод снизу микросхемы гораздо правильнее, чем сверху. Потому что кристалл приклеивается на керамику, снизу, разумеется.

2. В принципе корректное замечание с вашей стороны, в более поздних ТУ этот параметр так и называется.

_________________
Существует 2 типа компаний: быстрые и мертвые. (с) Andrew Stephen Grove


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 18 ноя 2014, 12:21 
Не в сети

Зарегистрирован: 18 ноя 2014, 09:52
Сообщений: 1
Название предприятия: ЗАО ИТТ
AndreyFizika, можно тоже получить ТУ на e-mail на 5559ИН13? В описании на сайте не очень понятно про выводы для выбора режимов.


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 15 янв 2015, 17:49 
Не в сети

Зарегистрирован: 14 янв 2015, 18:47
Сообщений: 1
Название предприятия: ОАО "МКБ "Компас"
Добрый день. Можно ли получить ТУ на 5559ИН13? Собственно, интересует 5559ИН11, но ТУ на них вроде бы общее.


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 16 янв 2015, 11:30 
Не в сети
Аватар пользователя

Зарегистрирован: 26 фев 2013, 10:27
Сообщений: 117
Название предприятия: ОАО НПО "Физика"
adun, Керре Павел, отправлено.

Уважаемые коллеги, процесс получения ТУ описан здесь: http://npofizika.ru/faq
Можете просто выполнить запрос на e-mail или воспользоваться формой обратной связи(не сомневайтесь, она работает, и вам обязательно ответят) http://npofizika.ru/contact , в ответ вам будет выслано ТУ.

_________________
Существует 2 типа компаний: быстрые и мертвые. (с) Andrew Stephen Grove


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 02 мар 2015, 23:37 
Не в сети

Зарегистрирован: 01 мар 2015, 09:00
Сообщений: 24
Название предприятия: НПО Электромашина
Здравствуйте!

Используем 5559ИН13У, при проверке на соответствие требованиям ГОСТ Р 52070-2003 выяснилось невыполнение пункта 7.3.4, указанные там нормы по остаточному напряжению превышены примерно в два раза. Какие рекомендации Вы бы могли дать для функционирования указанных микросхем согласно ГОСТ, если в текущий момент схема их подключения идентична типовой?


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 03 мар 2015, 12:50 
Не в сети

Зарегистрирован: 20 фев 2014, 17:37
Сообщений: 31
Название предприятия: ОАО "НПО "Физика"
Bioray писал(а):
Здравствуйте!

Используем 5559ИН13У, при проверке на соответствие требованиям ГОСТ Р 52070-2003 выяснилось невыполнение пункта 7.3.4, указанные там нормы по остаточному напряжению превышены примерно в два раза. Какие рекомендации Вы бы могли дать для функционирования указанных микросхем согласно ГОСТ, если в текущий момент схема их подключения идентична типовой?

Для удовлетворения этого требования необходимо:
1. Идеально симметричный входной сигнал от контроллера.
2. Идеально симметричная трассировка бифазных линий на плате от контроллера к приемопередатчику, от приемопередатчика к трансформатору, от трансформатора к нагрузке.
3. Дифференциальная схема измерений (как и предписано ГОСТ).
Любое отклонение от этих требований увеличивает остаточное напряжение. Нагребли более 90мв? Исправляйте! Удачи!


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 04 мар 2015, 10:49 
Не в сети

Зарегистрирован: 01 мар 2015, 09:00
Сообщений: 24
Название предприятия: НПО Электромашина
Власов В.А. писал(а):
Для удовлетворения этого требования необходимо:
1. Идеально симметричный входной сигнал от контроллера.
2. Идеально симметричная трассировка бифазных линий на плате от контроллера к приемопередатчику, от приемопередатчика к трансформатору, от трансформатора к нагрузке.
3. Дифференциальная схема измерений (как и предписано ГОСТ).
Любое отклонение от этих требований увеличивает остаточное напряжение. Нагребли более 90мв? Исправляйте! Удачи!


Спасибо за пояснения.


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 23 июн 2015, 19:08 
Не в сети
Аватар пользователя

Зарегистрирован: 26 фев 2013, 10:27
Сообщений: 117
Название предприятия: ОАО НПО "Физика"
Для микросхем серии 5559ИН13 получены уровни стойкости:
7С4 - 1,8•1Ус, 7И7 - 2•2Ус, 7С1 - 60•1Ус
ТЗЧ с уровнем ЛПЭ не менее 40 МэВ•см^2/мг - одиночные эффекты и катастрофические отказы не зафиксированны.

_________________
Существует 2 типа компаний: быстрые и мертвые. (с) Andrew Stephen Grove


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 02 фев 2016, 12:03 
Не в сети

Зарегистрирован: 01 фев 2016, 15:30
Сообщений: 1
Название предприятия: АО "Корпорация "ВНИИЭМ"
Здравствуйте!
В нашем макете с использованием вашей платы, возникли вопросы связанные с нагревом микросхемы 5559ИН13У в процессе эксплуатации приема/передатчика. С целью штатной эксплуатации 5559ИН13У прошу выслать неучтенный экземпляр ТУ.


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 11 май 2016, 14:06 
Не в сети
Аватар пользователя

Зарегистрирован: 26 фев 2013, 10:27
Сообщений: 117
Название предприятия: ОАО НПО "Физика"
Новый приемопередатчик МКИО, аналог HI-1565, NHI-15116: 5559ИН13У3.
Доступны образцы.

_________________
Существует 2 типа компаний: быстрые и мертвые. (с) Andrew Stephen Grove


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 15 ноя 2016, 11:31 
Не в сети

Зарегистрирован: 08 июл 2014, 16:55
Сообщений: 11
Название предприятия: НПО Стрела
Здравствуйте.
Можно ли получить рекомендацию по выбору типа и номинала (и других важных критериев при необходимости) "защитного резистора передатчика"?
Ещё бы кратко его цель, роль и влияние на схему в общем.
Спасибо.


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 15 ноя 2016, 19:05 
Не в сети

Зарегистрирован: 20 фев 2014, 17:37
Сообщений: 31
Название предприятия: ОАО "НПО "Физика"
prostoRoman писал(а):
Здравствуйте.
Можно ли получить рекомендацию по выбору типа и номинала (и других важных критериев при необходимости) "защитного резистора передатчика"?
Ещё бы кратко его цель, роль и влияние на схему в общем.
Спасибо.

1. Входы R в первую очередь сделаны для отдельного питания мощных ключей, подключение защитного резистора не является обязательным.
2. Форма и амплитуда выходного сигнала нормируются без защитного резистора.
3. Защитный резистор может быть добавлен в схему с целью защиты самой микросхемы и трансформатора при кратковременном нарушении нормального порядка работы. Номинал резистора выбирается с учетом тока в режиме передачи, который составляет около 0.5А и приведенной к выходу нагрузке 5.5 Ом. На практике не стоит экспериментировать с резистором более 2 Ом. И стоит помнить, что такие токи на частоте 1МГц могут оказать серьезное влияние как на саму микросхему, так и на ее окружение при неаккуратной трассировке платы.
4. Наша рекомендация: Если у Вас нет серьезной необходимости в защите микросхемы - не используйте защитный резистор.


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
СообщениеДобавлено: 16 ноя 2016, 12:06 
Не в сети

Зарегистрирован: 08 июл 2014, 16:55
Сообщений: 11
Название предприятия: НПО Стрела
Благодарю за обстоятельный ответ. Прошу уточнить ещё несколько моментов.
Власов В.А. писал(а):
1. Входы R в первую очередь сделаны для отдельного питания мощных ключей, подключение защитного резистора не является обязательным.
Допустимо ли тогда раздельное питание ключей и логики? Какие критерии?
Власов В.А. писал(а):
2. Форма и амплитуда выходного сигнала нормируются без защитного резистора.
Да, я вижу это в ТУ. Но каково влияние этого резистора? Стоит ли учитывать оммическое и индуктивное сопротивление проводников ПП, выходное сопротивление источника питания?
Власов В.А. писал(а):
3. Защитный резистор может быть добавлен в схему с целью защиты самой микросхемы и трансформатора при кратковременном нарушении нормального порядка работы. Номинал резистора выбирается с учетом тока в режиме передачи, который составляет около 0.5А и приведенной к выходу нагрузке 5.5 Ом. На практике не стоит экспериментировать с резистором более 2 Ом. И стоит помнить, что такие токи на частоте 1МГц могут оказать серьезное влияние как на саму микросхему, так и на ее окружение при неаккуратной трассировке платы.
Надо понимать, что имеется в виду перегрузка или КЗ линии или трансформатора? Неверные входные сигналы не должны пагубно влиять на выходное каскад судя по схеме из ТУ.
Власов В.А. писал(а):
4. Наша рекомендация: Если у Вас нет серьезной необходимости в защите микросхемы - не используйте защитный резистор.
Вот и знать бы когда появляется эта серьёзная необходимость.


Вернуться наверх
 Профиль Отправить личное сообщение Отправить e-mail  
 
Показать сообщения за:  Сортировать по:  
Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 65 ]  На страницу Пред.  1, 2, 3, 4  След.

Часовой пояс: UTC + 4 часа


Кто сейчас на форуме

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 1


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти:  
Создано на основе phpBB® Forum Software © phpBB Group
Русская поддержка phpBB